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Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
179 mils x 107 mils x 19 mils
±1 mil
METALLIZATION:
Type: Al
Thickness: 16k
±2k
PASSIVATION:
Type: Nitride Over Silox
Nitride Thickness: 3.5k
±0.5k
Silox Thickness: 12k
±1.5k
WORST CASE CURRENT DENSITY:
0.75 x 105 A/cm2
TRANSISTOR COUNT:
200
Metallization Mask Layout
V+
(MSB)
BIT 1
BIT 2
BIT 3
BIT 4
BIT 5
BIT 6
BIT 7
BIT 8
BIT 9
BIT 10
BIT 11
BIT 12
(LSB)
POWER
GND
20V
SPAN
10V
SPAN
IDAC
OUT
BIPOLAR
12
-VS
VREF IN
VREF
GND
VREF OUT
HI-565A
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